Intel eröffnet drittes Halbleiterwerk für 65-Nanometer-Chips

Damit hat die Fab 24-2 nach der Fab 12 im US-amerikanischen Arizona und der Fab D1D in Oregon die Produktionsreife für 65-Nanometer-Chips auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 Millimetern erreicht. Schon jetzt stellt Intel nach eigenen Angaben die Hälfte seiner Chips mit dieser Strukturbreite her. Bis 2007 sollen noch weitere Fabs für den aktuellen Prozess fit gemacht werden. Zu den dafür nötigen Investitionen machte Intel keine Angaben.

Umstellung von 90nm auf 65n in zwei Jahren Schon Ende 2007 will Intel dann auf die nächstkleinere Strukturbreite von 45 Nanometern wechseln, gab aber noch nicht bekannt, welche Fabs dafür umgerüstet werden sollen. Was mit den bisherigen Werken, die mit 90 Nanometern arbeiten, passiert, steht aber schon fest: Sie sollen bei gleicher Strukturbreite Chipsätze für die 65-Nanometer-Prozessoren fertigen.

Die ständige Verkleinerung der Strukturbreiten ist in der Halbleiterfertigung mit dem Trend zu mehreren Kernen auf einem Chip noch wichtiger geworden als bisher. Statt die Prozessoren mit immer mehr Funktionseinheiten zu versehen, werden nun bei annähernd gleicher Größe des Dies mehrere Kerne integriert. Zusätzlich reduziert sich der Stromverbrauch, da sich Halbleiter mit feineren Strukturen mit geringerer Spannung betreiben lassen.