3D-NAND v5: Micron bringt Flash-Speicher mit 176 Schichten

Micron hat den 3D-NAND v5 vorgestellt, den ersten nicht gemeinsam mit Intel entwickelten Flash-Speicher für Cloud- und Consumer- sowie Edge-Applikationen. Der 3D-NAND v5 hat 176 Zellschichten statt bisher 128 Layer und soll zuerst in Endkunden-SSDs der Crucial-Tochter eingesetzt werden, entsprechend ausgestattete Consumer-Modelle seien bereits unterwegs in den Großhandel.

Der 3D-NAND v5 wird in der Fab 10 in Singapur produziert, die Kapazität der Chips beläuft sich zu Beginn auf 512 GBit. Micron setzt auf drei Bit pro Zelle, es handelt sich also wie beim 128-lagigen Vorgänger um TLC-Speicher (Triple Level Level Cell). Letzterer wird laut Hersteller seit einigen Monaten in Crucial-SSDs eingesetzt, zumindest bei den P2- und den P5-Modellen wird aber der ältere 3D-NAND v3 mit 96 Schichten genutzt.

Für den 3D-NAND v5 und den 3D-NAND v4 hatte Micron sich von den zuvor verwendeten Floating-Gate-basierten Zellen abgewandt; stattdessen wechselte der Hersteller auf sogenannte Replacement Gates. Dahinter verbirgt sich eine angepasste Charge-Trap-Methode, wie sie auch Samsung und SK Hynix nutzen. Aufgrund der 176 Schichten (88+88 als zwei gestackte Arrays) will Micron ein rund 30 Prozent kompakteres 512-GBit-Die als die Konkurrenz ausliefern, bisher war hier Flash Forward (Toshiba & Western Digital) mit dem BiCS5 führend. Der 3D-NAND v5 weist überdies eine höhere Interface-Geschwindigkeit von 1.600 MT/s anstelle von 1.200 MT/s auf.

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Präsentation zum 176-Layer-Flash-Speicher (Bild: Micron)

Bis einschließlich dem 3D-NAND v3 hatte Micron mit Intel zusammengearbeitet, das Joint Venture namens IMFT (Intel & Micron Flash Technologies) wurde aber Ende 2018 aufgelöst, und in Folge übernahm Micron für 1,5 Milliarden US-Dollar die Anteile von Intel. Die wiederum verkauften den Geschäftsbereich für 3D-NAND und SSDs mitsamt der Fab 68 und Angestellten im Oktober 2020 für 9 Milliarden US-Dollar an SK Hynix.