SSD: Microns QLC-Flash-Speicher nutzt 64 Zellschichten

Micron hat seinen QLC-Flash-Speicher (Quad Level Cell) offiziell vorgestellt und mit der Micron 5120 Ion auch gleich die passende Enterprise-SSD dazu. Das Modell ist per Sata-Interface angebunden und für Lesezugriffe ausgelegt, da QLC-Speicher tendenziell eine geringere Haltbarkeit hat. Micron produziert den NAND-Flash mit 64 Zellschichten und erreicht so eine Kapazität von 1 TBit pro Die.

Die Micron 5120 Ion ist mit 1,92 TByte bis 7,68 TByte verfügbar und soll somit in erster Linie mit Festplatten mit 7.200 Umdrehungen pro Minute konkurrieren. Die Ion-Serie ist für den leselastigen Einsatz gedacht, wer viele Daten schreiben muss, sollte zur Pro- oder Max-Reihe des Herstellers greifen. Der QLC-Speicher weist 16 Ladungszustände auf, was eine aufwendigere Fehlerkorrektur als bei etwa TLC (Triple Level Cell) mit acht Spannungsstufen erfordert.

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Die Haltbarkeit des QLC wird mit 1.000 P/E angegeben. (Bild: Micron)

Wie üblich arbeitet Micron bei der Fertigung des QLC-Flash-Speichers mit Intel zusammen, da beide das IMFT genannte Joint Venture betreiben. Es wird jedoch die letzte gemeinsame Generation sein, da die zwei Hersteller künftig eigene Wege bei NAND-Flash gehen und nur noch bei 3D Xpoint kooperieren werden. Neben IMFT arbeitet Samsung am V-NAND v5 mit QLC und 1 TBit, bei Toshiba und Western Digital wird das Ganze als BiCS4 bezeichnet - beide Lösungen haben 96 statt 64 Zellschichten. Seitens SK Hynix gibt es bisher keine Ankündigung.

Bei der Micron 5120 Ion handelt es sich um eine Enterprise-SSD mit Marvell-Controller, wenngleich der Hersteller nicht verrät, wie die Firmware das Over Provisioning handhabt. Die Haltbarkeit des QLC-Flash-Speichers gibt Micron mit 1.000 P/E-Vorgängen an, was etwa ein Drittel dessen von TLC-NAND ist. Wie oft die 5120 Ion täglich beschrieben werden kann, geben die US-Amerikaner nicht an.