Halbleiterwerk: Samsung rüstet Fab 3 für sechs Milliarden US-Dollar auf

Samsung hat den Grundstein für eine neuen Linie der Fab 3 nahe Hwaseong, Südkorea, gelegt. Das dortige Halbleiterwerk für Prozessoren oder andere Logikchips wird für initial sechs Milliarden US-Dollar erweitert, die Investitionssumme nach 2020 kann aber abhängig von der Nachfrage auch noch steigen. Bisher wird die Fab 3 für das 10LPE- (10 nm Low Power Early) und das 10LPP-Verfahren (10 nm Low Power Plus) verwendet. Künftig wird dort mit 7LPP (7 nm Low Power Plus) und extrem ultravioletter Strahlung (EUV) gefertigt.

Die Linie, also ein zusätzlicher Gebäudekomplex, soll im ersten Halbjahr 2019 fertiggestellt werden. Ab 2020 möchte Samsung dann die Produktion von Chips starten und im Jahresverlauf den Ausstoß steigern. In der erweiterten Fab 3 sollen Prozessoren für unter anderem HPC (High Performance Computing), generell für Server- und für Netzwerkanwendungen sowie für Mobilgeräte hergestellt werden. Einer der ersten Kunden wird Qualcomm sein, die US-Amerikaner lassen 5G-Snapdragons von Samsung in 7LPP fertigen.

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Zeremonie zur Grundsteinlegung der neuen Linie der Fab 3 (Bild: Samsung)

7LPP soll verglichen mit bisherigen 10-nm-Verfahren wie 10LPP eine um bis zu 40 Prozent kompaktere Chipfläche bei einer 10 Prozent höheren Geschwindigkeit oder einer um bis zu 35 Prozent reduzierten Leistungsaufnahme ermöglichen. Zudem seien generell weniger Fertigungsschritte und eine gestiegene Ausbeute (yield) zu erwarten, was wiederum die Kosten verringert. Allerdings sind die EUV-Maschinen vom niederländischen Ausrüster ASML teuer.

Konkurrent TSMC wird bei 7 nm keine extrem ultraviolette Strahlung verwenden, dieser Schritt folgt erst mit 7+ nm. In Taiwan entsteht derzeit die Fab 18, dort möchte die TSMC dann Chips mit 5 nm fertigen.