SZ985: Samsungs erste Z-SSD ist da

Samsung hat die SZ985 veröffentlicht, die erste aus der Reihe der Z-SSDs. Das Modell hat 800 GByte Speicherplatz und soll vor allem in Serverfarmen für Big Data oder für künstliche Intelligenz eingesetzt werden. Allzu viele Details verglichen mit dem älteren Z-NAND-Technology-Brief (PDF) verrät Samsung zwar nicht, eine spannende Neuigkeit dann aber doch.

Die SZ985 basierten auf der ersten Generation des Z-NAND getauften Flash-Speichers, den Samsung bereits 2016 angekündigt hatte. Damals sprach der Hersteller von 2-TByte-Modellen bis 2017, daraus wurde offensichtlich aber nichts. Der Z-NAND wird von einem dafür ausgelegten Controller angesprochen, der - und das ist neu - mit 1,5 GByte LPDDR4 als Cache kombiniert wird. Üblich bei NAND-Flash sind 1 GByte pro TByte, die SZ985 könnte also viel Overprovisioning zugunsten der Haltbarkeit aufweisen.

Verglichen mit gewöhnlichem 3D-NAND mit 3 Bit pro Zelle (TLC) handelt es sich beim Z-NAND offenbar um solchen mit 1 Bit pro Zelle (SLC) oder der Speicher wird zumindest so verwaltet. Zusammen mit dem Controller sollen die IOPS mit 750.000 lesend sehr hoch sein, Intels Optane-SSD DC P4800X schafft nur 550.000 IOPS. Die Schreibrate der SZ985 fällt mit 170.000 IOPS dafür recht gering aus und auch die Latenz liegt über der Intel-SSD: Das Samsung-Modell soll schreibend unter 16 µs schaffen, die DC P4800X unter 10 µs.

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Z-SSD (Rendering: Samsung)

Bei der Haltbarkeit gibt es keinen Unterschied, Samsung und Intel versprechen 42 Petabyte in fünf Jahren. Zumindest die Kosten für den Z-NAND dürften unter denen von Intels 3D Xpoint liegen, künftig möchte Samsung sie weiter senken. Die zweite Generation des Z-NAND nutzt 2 Bit pro Zelle (MLC), der geringere Preis geht aber etwas auf Kosten der Latenz - die steigt.