DDR4: Samsung startet Serienfertigung von 1Y-Arbeitsspeicher

Samsung hat die Serienfertigung von DDR4-Arbeitsspeicher mit 10-nm-Class-Technik der zweiten Generation gestartet. Darunter verstehen Hersteller eine Fertigung zwischen 10 nm und 19 nm, zumeist wird eine Eingrenzung durch 1X über 1Y bis zu 1Z vorgenommen. Die erste Generation des DRAM wurde laut Industriequellen mit 18 nm (1X) hergestellt, die zweite dürfte mit 16 nm oder 15 nm (1Y) produziert werden.

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DDR4 der 1Y-Generation (Bild: Samsung)

Die Südkoreaner versprechen eine um 10 bis 15 Prozent höhere Energie-Effizienz und eine gesteigerte Geschwindigkeit. Statt DDR4-3200 erreichen die Chips nun DDR4-3600, allerdings unterstützen aktuelle Prozessoren solche Taktfrequenzen nur außerhalb ihrer Spezifikationen. Im Handel angebotene Module mit etwa DDR4-4000 sind von Herstellern wie G.Skill auf Basis von offiziell DDR4-3200 selektiert, da CPUs wie AMDs Ryzen von so schnellem Speicher durchaus profitieren.

1Y legt die Basis für HBM3 und Co.

Auch die zweite Generation an 10-nm-Class-DDR4 von Samsung weist eine Speicherkapazität von 8 GBit (1 GByte) pro Die auf, weshalb es bei doppelseitiger Bestückung eines SO- oder U-DIMMs bei 16 GByte pro Modul bleibt. Für den Hersteller bedeutet der Wechsel von 1X- auf 1Y-Speicher geringere Kosten, denn die Produktivität soll sich den Südkoreanern zufolge um 30 Prozent erhöhen. Obendrein würde die verbesserte Fertigung die Marktreife neuer Speichertypen beschleunigen.

Konkret nennt Samsung daher DDR5 für Server-CPUs, HBM3 (Stacked Memory) und GDDR6 für künftige Grafikkarten oder generell Beschleuniger wie FPGAs sowie verlötetes LPDDR5, welches für Smartphones und Ultrabooks relevant ist. Ein Großteil davon soll schon 2018 bei Produkten eingesetzt werden.