Universal Flash Storage: UFS 3.0 schafft 2,4 GByte pro Sekunde

Das Speichergremium Jedec hat einen Ausblick auf UFS 3.0 gegeben (PDF). Der Standard soll im ersten Halbjahr 2018 fertiggestellt werden. Mit der dritten Version des Universal Flash Storage steigt die maximale sequenzielle Geschwindigkeit von rund 1,2 auf 2,4 GByte pro Sekunde. Aktueller Stand ist UFS 2.1, was von Systems-on-a-Chip wie Huaweis Kirin 970, Qualcomms Snapdragon 835 oder Samsungs Exynos 8895 unterstützt wird. Entsprechender Flash-Speicher steckt in Geräten wie dem Mate 9 oder dem Galaxy S8.

Bei UFS 2.1 werden bis zu zwei Lanes im HS-G3-Modus (High Speed Gear 3) betrieben. Das entspricht 11,66 GBit pro Sekunde und somit etwa 1,46 GByte pro Sekunde - Overhead und Kodierung sind hier noch nicht eingerechnet, die effektive Transferrate fällt niedriger aus. Passende Controller gibt es etwa von Phison: Der PS8313-Chip reizt jedoch mit 920 MByte pro Sekunde lesend und 550 MByte pro Sekunde schreibend sowie 67K und 62K Input-/Output-Operationen pro Sekunde die Schnittstelle nicht aus. Allerdings hat Phison den Controller auch mit günstigem 3D-TLC-Speicher vermessen.

Einem Bericht von Benchlife zufolge arbeitet Phison an Chips für Universtal Storage 3.0, die dann vier G3-Lanes für 23,3 GBit pro Sekunde verwenden. Mit 8b/10b-Kodierung und Protokoll-Overhead bleiben rund 2,4 GByte pro Sekunde übrig. Phison geht davon aus, dass UFS 3.0 ab 2019 zum Standard in Topsmartphones wird. Vorerst wird es aber bei UFS 2.1 bleiben, wenngleich einige Hersteller beginnen, auch PCIe als Interface zu implementieren.