3D-Flash-Speicher: Samsungs 13,5-Milliarden-US-Dollar-Fab läuft

Samsung hat bekanntgegeben, dass die Serienfertigung von Flash-Speichern in der neuen Fab nahe der südkoreanischen Stadt Pyeongtaek angelaufen ist. Die Arbeiten an dem Halbleiterwerk wurden im Mai 2015 begonnen, nachdem Samsung den Bau im Sommer 2014 angekündigt hatte. Die Kosten hatte der Hersteller ursprünglich mit 13,5 Milliarden US-Dollar (15 Billionen koreanische Won) angegeben, insgesamt sollen in Pyeongtaek bis 2021 bis zu 26 Milliarden US-Dollar (30 Billionen koreanische Won) investiert werden.

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Fab in Pyeongtaek (Foto: Samsung)

Die Semiconductor Fabrication Plant, kurz Fab, produziert den neuen V-NAND v4. So nennt Samsung die vierte Generation des eigenen 3D-NAND-Flash-Speichers mit 64 Schichten und 3 Bit pro Zelle (Triple Level Cell, TLC) für Chips mit 256 und später 512 GBit Kapazität. Gedacht ist der V-NAND v4 für SSDs wie Samsungs eigene PM871b als M.2- und 2,5-Zoll-Variante, die bereits an Partner für deren Notebooks geliefert wird. Später 2017 dürfen neue Solid-State-Drives für Endkunden erscheinen, etwa eine Portable SSD T5.

Investitionen in EUV und OLED

Neben dem Halbleiterwerk bei Pyeongtaek wird Samsung auch die Fab bei Hwaseong für 5,2 Milliarden US-Dollar (6 Billionen koreanische Won) aufrüsten. Dort soll auch Equipment für eine Belichtung mit extrem ultravioletter Strahlung (EUV) eingesetzt werden. Der Prozess-Roadmap des südkoreanischen Fertigers zufolge wird EUV zuerst beim 7LPP-FinFet-Verfahren genutzt.

Samsung bestätigte überdies den Bau der Fab A5 bei Asan. In dieser Fertigungsstätte, die ab 2018 installiert werden soll, wird der Hersteller künftig flexible OLED-Panels unter anderem für Smartphones produzieren.