3D-Flash-Speicher: Samsungs V-NAND v4 ist schneller statt größer
Der neue 3D-Flash-Speicher von Samsung liefert eine um ein Viertel höhere Geschwindigkeit, jedoch keine gestiegene Kapazität. Statt 512 GBit pro Chip weist der V-NAND v4 weiterhin 256 GBit auf. Erste SSDs für ausgewählte Partner gibt es bereits.
Samsung hat den Start der Serienfertigung des V-NAND v4 bekannt gegeben. Die vierte Generation des 3D-Flash-Speichers mit 64 Zellschichten hatte der südkoreanische Hersteller vergangenes Jahr auf der Speichermesse Flash Memory Summit vorgestellt. Seit Januar 2017 läuft bereits die Produktion des V-NAND v4 für einen kleinen Kreis von Kunden, bis Ende des Jahres soll die neue Generation rund die Hälfte allen von Samsung gefertigten Flash-Speichers ausmachen. Mehr Kapazität als bisher gibt es allerdings nicht.
Bei der Vorstellung des V-NAND v4 sprach Samsung noch von 512 GBit (64 GByte) pro Die, die Serienfertigung startet aber vorerst mit 256-GBit-Chips (32 GByte). Die 64 Schichten bestehen aus Zellen mit 3 Bit als TLC-Speicher (Triple Level Cell). Laut Hersteller erreicht der V-NAND v4 eine leicht gesteigerte Datenrate von 1.000 MBit pro Sekunde, der bisherige V-NAND v3 schafft nur 800 MBit die Sekunde. Diese Geschwindigkeit war ursprünglich auch für den V-NAND v4 genannt worden, allerdings im Kontext der 512-GBit-Dies.
Neben der höheren Datenrate weist der neue 3D-Flash-Speicher eine von 3,3 auf 2,5 Volt gesenkte Spannung auf. Das soll sich in einer um 30 Prozent gestiegenen Energieeffizienz äußern. Die Zuverlässigkeit der Zellen falle obendrein um 20 Prozent besser aus, allerdings geht Samsung hier nicht ins Detail.
Die PM871b nutzt V-NAND v4
Als erstes Produkt basierend auf dem V-NAND v4 zeigt der Hersteller die PM871b genannte SSD im M.2-Kärtchen- und im 2,5-Zoll-Format. Wie sie sich von der bisherigen PM871 unterscheidet, bleibt unklar. Beide SSDs sind für Notebookhersteller gedacht, nutzen die Sata-6-GBit/s-Schnittstelle und sind mit bis zu 1 TByte Kapazität verfügbar. Mehr Daten liegen nicht vor.
Künftig möchte Samsung 3D-Flash-Speicher mit 96 Schichten fertigen. IMFT (Intel & Micron) sowie Flash Forward (Toshiba & Western Digital) setzen derzeit auf 64 Layer für 384 sowie 512 GBit, SK Hynix nutzt 72 Schichten für 256 GBit.
Oder nutzen Sie das Golem-pur-Angebot
und lesen Golem.de
- ohne Werbung
- mit ausgeschaltetem Javascript
- mit RSS-Volltext-Feed
Seit 1 Jahr tut sich garnichts mehr. Die Konkurrenz hat es in 12 Monaten nicht geschafft...
Das hängt natürlich davon ab wie heiß die teile werden, wenn die warm werden kanns...