Flash-Speicher: Samsung nennt erste Leistungswerte zu seinen Z-SSDs

Samsung hat auf der Cloud Expo Europe erstmals konkrete Leistungsangaben zu seinen Z-SSDs gemacht, wie Anandtech berichtet. Angekündigt hatte der südkoreanische Hersteller die Solid State Drives auf dem Flash Memory Summit im August 2016, jedoch kaum Details genannt. Bei einem in London ausgestellten Modell listete Samsung einige Werte zur Einordnung.

Dabei handelt es sich um eine PCIe-Gen3-x4-Steckkarte im HHHL-Formfaktor (Half Height Half Length) und 800 GByte Kapazität. Die sequenzielle Lese- und Schreibrate soll bis zu 3,2 GByte pro Sekunde betragen. Zumindest lesend ist sie damit ähnlich schnell wie Samsungs aktuelle Consumer-SSDs, die 960 Pro und die 960 Evo. Auffällig ist die Schreibrate der Z-SSD oder zumindest die Aussage, sie sei identisch zur Lesegeschwindigkeit. Die 750.000 und und 160.000 Input-/Output-Operationen pro Sekunde (R/W) sind ohne Queue-Depth-Angabe nicht einzuordnen, tendenziell gibt es aber schnellere SSDs.

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Samsungs Z-SSD auf der Cloud Expo Europe (Foto: Ian Cutress/Anandtech)

Als wichtigsten Vorteil der Z-SSD nennt Samsung die Latenz, die 70 Prozent geringer sein soll als bei anderen NVMe-Modellen. Damit würde sich das Solid State Drive in der Nähe von Intels Optane-SSDs wie der DC P4800X mit 3D-Xpoint-Speicher positionieren. Samsung zufolge werden die kurzen Antwortzeiten bei (Lese)zugriffen durch einen speziellen Controller und den Z-NAND-Flash-Speicher erreicht. Dabei könnte es sich um 3D-NAND als SLC-Variante (Single Level Cell) mit einem Bit pro Speicherzelle handeln. Das hat Samsung aber bisher weder bestätigt noch dementiert. SLC würde die Haltbarkeit verglichen mit MLC und TLC deutlich erhöhen.

Ursprünglich hatte Samsung eine 1-TByte-Z-SSD für 2016 angekündigt und 2 sowie 4 TByte für 2017. Wann die Auslieferung startet, ist unbekannt.