Analyse: iPhone 7 mit Intel-Modem, 3 GByte RAM und InFO-Packaging

Beim Teardown des iPhone 7 seitens Chipworks sind Details zum Vorschein gekommen, die es bei iFixit nicht gab. Das zeigt erneut, dass sich Apple bei der Auswahl der Komponenten ungerne auf einen Hersteller festlegt, aber auf in bestimmten Bereichen durchaus wegweisende Technik setzt.

Während in dem iPhone 7 Plus von iFixit, einer CMDA-Variante für Nordamerika und Japan, ein Qualcomm-Modem vom Typ Snapdragon X12 LTE (Gobi 9645) steckt, hat Chipworks in ihrer GSM-Version für den europäischen Markt ein Intel-Modem entdeckt. Damit bestätigt sich das, was schon seit Monaten aus herstellernahen Kreisen berichtet wurde: Apple betreibt sogenanntes Dual-Sourcing, und Intel konnte erstmals ein Modem für ein iPhone stellen. Wie erwartet handelt es sich um das XMM 7360 mit 450 MBit/s.

Erfreulich ist die Größe des Arbeitsspeichers, denn Apple verbaut zumindest im iPhone 7 Plus nun 3 statt 2 GByte RAM wie im iPhone 7 und im iPhone 6S (Plus). Ob auch die Geschwindigkeit des LPDDR4-Speichers gestiegen ist, lässt sich anhand des Teardowns nicht sagen, da nur Teile der Part-Number bei Samsung hinterlegt sind. Zumindest der Produkt Selection Guide für das erste Halbjahr 2016 (PDF) listet LPDDR4-3200 wie im iPhone 6S sowie flotteren LPDDR4-3733. Wie üblich ist der Arbeitsspeicher als PoP (Package on Package) direkt auf dem System-on-a-Chip, dem neuen A10 Fusion, aufgesetzt.

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Apple nutzt InFO für den A10 und den LPDDR4. (Bild: Chipworks)

Gemäß der Aufschrift wird der Chip bei der TSMC gefertigt, er misst laut Chipworks 125 mm² und ist damit ziemlich groß. Der A9-Vorgänger ist rund 105 mm² groß, nutzt aber auch nur zwei statt vier Kerne. Eventuell verwendet Apple die noch nicht angekündigte PowerVR Series 8XT, da die Grafikeinheit weiterhin aus sechs Clustern besteht. Die +50 Prozent höhere Leistung kann durch mehr Takt schwerlich erreicht werden, da der Chip ziemlich sicher erneut in einem 16-nm-FinFET-Verfahren (wohl 16FF+) hergestellt werden dürfte.

Auffällig: Das PoP aus A10 Fusion und LPDDR4 ist extrem flach, da Apple sich dazu entschieden hat, das InFO-Packaging der TSMC einzusetzen. Das steht für Integrated Fan Out und beschreibt eine Technik, bei welcher der Chip ohne ein Substrat als Trägerschicht direkt auf Lotkügelchen montiert wird - das verringert die Bauhöhe. Ein entsprechendes Foto seitens Chipworks bestätigt InFO, ein anderes zeigt den unüblichen Aufbau des Flash-Speichers: Die vier Chips sind nicht übereinander gestapelt, sondern liegen nebeneinander.

Wir sind gespannt, ob ein Teardown der neuen 256-GByte-Variante zeigt, ob Apple auf 3D-Flash-Speicher setzt, da damit weniger Dies in einem Package gestapelt werden müssen. Die geringere Bauhöhe von PoP und Speicher kommt dem Akku zugute, der rund eine halbe Wattstunde mehr liefert.