Z-SSD & Storage Class Memory: Wie die Konkurrenz Intels 3D Xpoint kontern will
Nachdem Intel und Micron mit Ankündigungen zu 3D-Xpoint-basierten Produkten vorgeprescht sind, ziehen Samsung und Flash Forward nach: Die Südkoreaner haben die Z-SSD entwickelt, das Joint Venture aus Toshiba und Western Digital setzt auf 3D-ReRAM. Samsung will noch 2016 vor Intel liefern und zeigte diverse Benchmarks.
Basierend auf der nicht flüchtigen Speichertechnik 3D Xpoint wollen Intel und Micron SSDs als Optane- und QuantX-Produkte verkaufen. Dieser sogenannte Storage Class Memory, der einerseits die Kapazität von Storage wie HDDs und SSDs liefern und andererseits (fast) die Geschwindigkeit von Arbeitsspeicher erreichen soll, wird von der Industrie als zukunftsweisender Schritt gesehen. Klar, dass da auch Samsung dabei sein will: Die Südkoreaner haben die Z-SSD entwickelt und auf dem Flash Memory Summit vorgestellt.
Die Z-SSD soll noch in diesem Jahr als 1-TByte-Version erscheinen, womit Samsung Intel in die Parade fahren würde. Für 2017 sind Modelle mit 2 und 4 TByte angesetzt. Bei allen handelt es sich um Steckkarten mit schnellem PCIe-3.0-x8-Interface. Ob das NVMe-Protokoll verwendet wird, ist nicht ganz klar, erscheint aber wahrscheinlich. Neben einem neuen Controller nutzen die SSDs sogenannten Z-NAND, der wie der V-NAND v4 aus geschichteten Zellen bestehen soll. Welche Technik Samsung verwendet, bleibt offen - dem Messegeflüster zufolge könnten die Südkoreaner auf Flash mit 1-Bit-Zellen setzen.
Auch die Balken sprechen dafür: Verglichen mit der eigenen PM963, einer 2-GB/s-NAND-Flash-SSD, und einem PRAM-Drive (was für Phase Change RAM, ähnlich 3D Xpoint, steht) soll der Z-NAND flotter Daten sequenziell lesen und eine geringere Latenz aufweisen. Zur Schreibrate und Haltbarkeit von Z-NAND äußerte sich Samsung nicht, bei der Energie-Effizienz wurde nur der (schlechter abschneidende) PRAM als Vergleich angegeben. Bei den Benchmarks handelt es sich übrigens um Schätzungen basierend auf Samsungs Emulator.
Western Digital sagte auf dem Flash Memory Summit, frühere Versuche mit einer Crosspoint-Struktur für Resistive RAM seien wenig erfolgreich gewesen. Der eigene Storage Class Memory werde daher auf geschichteten Speicherzellen basieren, also 3D-ReRAM. Bei resistivem RAM wird eine Dielektrikum-Schicht durch Spannung dazu gebracht, ihren Widerstand zu verändern. Einen Zeitplan für 3D-ReRAM hat Western Digital bisher nicht vorgelegt.
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Da bin ich ja schon gespannt wann wir unsere Finger mal an Produkte kriegen die man...