PM1643 & PM1735: Samsung zeigt V-NAND v4 und drei Rekord-SSDs

Samsungs vierte Generation an 3D-Flash-Speicher, der sogenannte V-NAND v4, steckt gleich in mehreren neuen Produkten: der kleinsten 1-TByte-, der größten und der schnellsten SSD.

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Produkte basierend auf V-NAND v4
Produkte basierend auf V-NAND v4 (Bild: Marc Sauter/Golem.de)

Samsung hat auf dem Flash Memory Summit 2016 seine halbstündige Keynote mit etlichen Ankündigungen gefüllt: Die Basis für fast alle neuen Produkte ist der hauseigene 3D-NAND-Flash-Speicher der vierten Generation, den die Südkoreaner als V-NAND v4 bezeichnen. Verglichen mit den Vorgängern erhöht sich die Anzahl der Zellschichten von 48 auf 64, was bei wie gehabt drei Bit pro Zelle in 512 statt 256 GBit pro Chip resultiert. Damit überholt Samsung die IMFT-Konkurrenz, die derzeit 384-GBit-Dies in Serie produziert.

  • Samsung präsentiert den V-NAND v4 (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Statt 48 besteht er aus 64 Zellschichten (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Man nehme Controller, DRAM und Flash ... (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • ... und packe es in ein BGA-Package (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Heraus kommt die erste BGA-NVMe-SSD mit 1 TByte (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Für Server entwickelt Samsung das M.2-32114-Format für 8 TByte (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Die PM1735 ist die weltweit schnellste SSD (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Die PM1643 weist die höchste Kapazität in 2,5-Zoll-Bauweise auf (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Überblick zu V-NAND-v4-Produkten (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
Samsung präsentiert den V-NAND v4 (Foto: Marc Sauter/Golem.de)

Bei 16 Chips in einem Package kann Samsung durch den V-NAND v4 die Speicherdichte pro Gehäuse auf 1 TByte steigern. Das nutzen die Koreaner für die laut eigener Aussage erste NVMe-SSD in BGA-Bauform. Diese hat noch keinen Namen. Samsung quetscht zusätzlich zu den Flash-Dies noch einen Controller und einen LPDDR4-Chip als DRAM-Cache mit in das zu verlötende Package. Durch die gestiegene Kapazität fasst die neue SSD doppelt so viele Daten wie die PM971, die erst kürzlich vorgestellt wurde. Dank des Fan-Out-Packaging ist die neue BGA-SSD mit 13 x 11,5 statt 20 x 16 mm kompakter.

Als weiteres Modell präsentierte Samsung die PM1643, den Nachfolger der PM1633a. Die SSD im 2,5-Zoll-Format mit SAS-Interface war mit 15 mm Bauhöhe und 15,36 TByte das bisher größte Flash-Drive. Der Nachfolger bringt es auf die doppelte Kapazität und damit auf großzügig aufgerundete 32 TByte. Um gleich noch eine Messlatte zu setzen, kündigten die Südkoreaner die PM1735 an: Die Steckkarte setzt die kommende PCIe-4.0-Schnittstelle mit acht Lanes und soll bis zu zwölf GByte pro Sekunde übertragen.

  • Samsung präsentiert den V-NAND v4 (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Statt 48 besteht er aus 64 Zellschichten (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Man nehme Controller, DRAM und Flash ... (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • ... und packe es in ein BGA-Package (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Heraus kommt die erste BGA-NVMe-SSD mit 1 TByte (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Für Server entwickelt Samsung das M.2-32114-Format für 8 TByte (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Die PM1735 ist die weltweit schnellste SSD (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Die PM1643 weist die höchste Kapazität in 2,5-Zoll-Bauweise auf (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
  • Überblick zu V-NAND-v4-Produkten (Foto: Marc Sauter/Golem.de)
Die PM1735 ist die weltweit schnellste SSD (Foto: Marc Sauter/Golem.de)

Noch namenlos ist eine SSD in M.2-22110-Kärtchenbauweise, die eine Kapazität von 4 TByte bei doppelseitiger Bestückung aufweist. Sie wird wohl auf die PM963 oder SM963 folgen - beide sind mit bis zu 1,92 TByte verfügbar. Für Enterprise-Server plant Samsung das neue M.2-34114-Format, als 34 x 114 statt 22 x 110 mm. Diese Spezialvarianten sollen bis zu acht TByte fassen.

Der neue V-NAND v4 soll ab dem vierten Quartal 2016 verfügbar sein, die darauf basierenden SSDs dürften in den Folgemonaten in den Handel kommen.

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