256-GBit-TLC-Flash-Dies: Samsung rüstet sich für 8 TByte große SSDs

Samsung hat angekündigt, die Serienfertigung von Flash-Speicherbausteinen mit 256 GBit Kapazität pro Die gestartet zu haben. Das entspricht umgerechnet 32 GByte je Chip, womit Samsung in der Lage ist, eine handelsübliche SSD im 2,5-Zoll-Format mit insgesamt acht TByte Speicher auszurüsten. Der neue NAND-Flash besteht aus 48 Schichten von Speicherzellen, von denen jede drei Bits sichert (Triple Level Cell, also TLC-Flash).

Der koreanische Hersteller spricht von der dritten Generation von 3D-NAND, die zweite wurde im Herbst 2014 vorgestellt. Sie nutzt 32 statt 48 Lagen und setzt auf Zellen, die drei Bits und insgesamt 128 GBit speichern. Allerdings hat Samsung auch ein MLC-Die mit 128 GBit entwickelt, solche stecken in der 2-TByte-Version der 850 Pro.

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Package mit 256-GBit-Flash-Bausteinen (Bild: Samsung)

Vor wenigen Tagen hatten Sandisk und Toshiba bereits NAND-Flash mit 256 GBit pro Die vorgestellt, die Serienfertigung soll jedoch erst Anfang 2016 starten. Bis dahin dürfte Samsung bereits erste Produkte mit dem neuen 256-GBit-TLC-Flash in den Handel gebracht haben. Ziel ist eine höhere Marktdurchdringung von TByte-SSDs, was angesichts einer laut Hersteller verglichen mit der zweiten Generation 40 Prozent besseren Chipausbeute gelingen sollte, da Samsung auf der dritten Generation basierende SSDs günstiger anbieten dürfte als aktuelle Modelle.

Zudem sind mit 32 GByte großen Dies erstmals 7 mm flache SSDs mit acht TByte möglich, denn in ein solches 2,5-Zoll-Gehäuse passen 16 Flash-Packages, in denen jeweils 16 Chips stecken. Die größte Samsung-SSD mit 7 mm Bauhöhe ist die PM863 mit einer Kapazität von 3,84 TByte.

Nachtrag vom 11. August 2015, 14:28 Uhr

Samsung hat bei der Vorstellung einer 16-TByte-SSD namens PM1633a weitere Details zum 256-GBit-TLC-Flash bekannt gegeben.