3D-NAND: Intel entwickelt Speicherbausteine für 2-TByte-SSDs

Intel hat auf seinem Investor-Meeting über kommende SSD-Technik in Form von 3D-NAND gesprochen. Erste Solid State Drives mit gestapelten Speicherchips plant Intel in der zweiten Jahreshälfte 2015 zu veröffentlichen. Denkbar sind mit den neuen Chips SSDs mit bis zu 2 TByte Kapazität.

Bisher fertigt nur Samsung V-NAND in Serie, die von Intel und Partner Micron verwendete Technik unterscheidet sich aber von Samsungs: Beide stapeln 32 Schichten aus Speicherzellen, Intel aber erreicht selbst mit MLC doppelt so viel Kapazität wie Samsung mit TLC. Bei Multi-Level-Cells werden zwei, bei Triple-Level-Cells 3 Bit pro Zelle gespeichert.

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Intel und Micron entwickeln gemeinsam das 3D-NAND. (Bild: Intel)

Intels MLC-Speicherbausteine bieten 256 Gigabit (32 GByte) Kapazität, Samsungs TLC-Technik derzeit nur 128 Gigabit (16 GByte). Da üblicherweise acht Speicherchips zu einem Package zusammengefügt werden, wären mit acht Stapeln SSDs mit 2 TByte Kapazität im 2,5-Zoll-Formfaktor möglich. Aktuell stellen 1-TByte-Modelle das Limit im Consumer-Segment dar.

Einzig einige sehr teure und 15 statt 9,5 mm hohe SSDs mit SAS-Schnittstelle quetschen 16 Packages für 2 TByte Kapazität ins 2,5-Zoll-Format. Noch größere SSDs mit mehr als 2 TByte Speicherplatz sind nur als extrem teure PCIe-Steckkarten erhältlich.

Künftig plant Intel, seine Speicherbausteine auch mit Triple-Level-Cells anzubieten, damit wären 384 Gigabit (48 GByte) pro Chip möglich. Intel-Manager Rob Crooke kündigte basierend auf diesen technischen Fortschritten Speicherbausteine mit 1.024 Gigabit (128 GByte) an - so wie Samsung auch.

In den nächsten Jahren möchte Intel Crooke zufolge SSDs mit mehr als 10 TByte Kapazität anbieten, einen genaueren Zeitplan gibt es nicht.