Samsung beginnt Serienfertigung von PRAM für Handys

PRAM steht für "Phase-Change Random Access Memory", oder nach Samsung-Lesart auch "Perfect RAM". Der Speichertyp, der Informationen durch einen Phasenübergang speichert, soll die Vorteile von DRAM und Flash vereinen: Das eine ist sehr schnell, das andere kann Daten auch dauerhaft speichern, ohne dass eine Spannung anliegt.

Im Falle der PRAMs von Samsung sollen die Bausteine vor allem das NOR-Flash ersetzen, das in vielen Geräten zum Einsatz kommt, die jahrelang ohne Ausfall genutzt werden können sollen. Anders als das bekannte NAND-Flash, das in USB-Sticks, Speicherkarten und SSDs zum Einsatz kommt, übersteht NOR-Flash viele hunderttausend Schreibvorgänge ohne Ausfälle. Mit einem einzigen Chip, der kein ausgefeiltes Defektmanagement benötigt, lassen sich so Konfigurationsdaten oder Firmware speichern.

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Multi-Chip-Package mit PRAM

NOR-Flash hat jedoch auch einen großen Nachteil: Es ist mehrfach langsamer beim Schreiben als NAND-Flash. Das PRAM von Samsung soll beim Schreiben von Blöcken von je 5 MByte rund siebenmal schneller als NOR-Flash sein, aber genauso zuverlässig.

Die neuen Bausteine, die Samsung als Multi-Chip-Package (MCP) anbietet, sollen in Designs passen, die für NOR-Flash mit 40 Nanometern Strukturbreite ausgelegt wurden - von "pinkompatibel" spricht der Chiphersteller jedoch noch nicht. Ebenso behält Samsung bisher für sich, was in dem MCP steckt.

Möglich wären dabei mehrere PRAM-Bausteine oder auch Logikanteile, wie das bei MCPs für Handys und andere Geräte üblich ist. Apples Prozessor A4 im iPad beispielsweise ist ein MCP, das aus dem ARM-SoC und zwei DRAM-Bausteinen besteht. Einzig zur Kapazität macht Samsung bisher konkrete Angaben: 512 MBit beziehungsweise 64 MByte fasst das PRAM-SoC.

512 MBit bei ganz ähnlichen Leistungsdaten fasst auch schon der PRAM-Baustein, den Samsung noch ohne MCP-Fähigkeiten seit Herbst 2009 herstellt. Das legt den Schluss nahe, dass Samsung dieses Die nun so weit umgebaut hat, dass es mit den dafür nötigen Bussen auch in Handybausteine passt.

Dem Chiphersteller zufolge werden erste Muster des PRAM-MCP bereits ausgeliefert, noch im zweiten Quartal 2010 soll die Serienfertigung aufgenommen werden.

Samsung hatte sein PRAM bereits 2006 angekündigt und wollte es damals ab 2008 als NOR-Alternative einsetzen. Die Bauform ist nur einer der möglichen Nachfolger von Flash-Bausteinen, dazu zählen für die verschiedenen Einsatzgebiete auch HPs Memristor, IBMs Racetrack-Memory oder NECs MRAM.