Samsung fertigt schnelles Flash mit 20 nm als Muster

Nur 13 Monate nach der Ankündigung erster Flash-Bausteine mit 30 Nanometern Strukturbreite hat Samsung seinen 20-Nanometer-Prozess so weit entwickelt, dass sich Vorserienprodukte herstellen lassen. Die Serienproduktion der 30-Nanometer-Chips hat Samsung erst im November 2009 aufgenommen, so dass auch auf die nächste Generation wohl noch mindestens sechs Monate gewartet werden muss.

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SD-Cards und Chips mit Samsungs 20-nm-Flash

Schon jetzt liefert Samsung aber laut einer Mitteilung des Unternehmens Muster von SD-Karten mit 20-Nanometer-Chips an Kunden, die daraus eigene Speichermedien herstellen wollen. Die Bausteine sind als MLC-Flash ausgeführt und speichern 32 Gigabit, also 4 GByte auf einem Die. Im weiteren Verlauf der 20-Nanometer-Entwicklung will Samsung aber auch Speicherkarten mit bis zu 64 GByte anbieten; ob dafür bald Chips mit höherer Kapazität als 32 GBit geplant sind, gibt das Unternehmen bisher nicht an.

Für eine eigene SD-Card mit 8 GByte - die also offenbar aus zwei Dies besteht - gibt Samsung Lesegeschwindigkeiten von 20 MByte/s und Schreibraten von 10 MByte/s an. Solche Werte erreichen inzwischen zwar auch schon einige SD-Karten aus früheren Generationen, diese sind aber in der Regel recht teuer. Bis Anfang 2011 könnte sich das ändern, da Samsung nun 50 Prozent mehr Chips je Wafer bei vergleichbaren Kosten herstellen kann.

Durch die wieder angezogene Nachfrage auf dem weltweiten Halbleitermarkt erwarten Marktforscher allerdings für das zweite Halbjahr 2010 steigende Preise, nicht nur für Flash-Speicher, sondern auch für DRAM. Als ein Anzeichen gilt, dass Sandisk laut einem Bericht von EEtimes India keine Chips mehr an Dritthersteller verkauft, sondern nur noch vollständige Speicherkarten, welche diese Anbieter dann unter eigenem Namen auf den Markt bringen.