Samsung baut DDR3-Chips für 1,35 Volt mit 40 Nanometern

Die Spezifikationen der JEDEC für DDR3-Speicher sehen neben der üblichen Spannung von 1,5 Volt - die Übertakter gerne überschreiten - auch 1,35 Volt vor. Dafür gab es bisher jedoch nur Prototypen der Speicherbausteine. Mit solchen Mustern führte Intel bereits im September 2009 auf dem IDF einen Clarkdale-PC vor, der auf dem Windows-Desktop nur 25 Watt aufnahm. Wie Kingston später erklärte, steckten in diesem System Module des Speicheranbieters, die mit 1,35 Volt arbeiteten.

Laut Samsung hat der Chiphersteller nun die Serienfertigung von 4-GBit-Chips mit 40 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Die Bausteine kommen sowohl mit 1,35 als auch 1,5 Volt zurecht. Samsung will für Server Registered-DIMMs mit 16 oder 32 GByte anbieten, SO-DIMMs für kompakte Server oder Notebooks sollen mit 8 GByte erscheinen. Damit sind dann auch in üblichen Notebookdesigns mit zwei Slot 16 GByte möglich. Als höchste Geschwindigkeit gibt Samsung bisher effektiv 1.066 MHz an.

Gegenüber DDR3-Speicher mit 1,5 Volt sollen die neuen Chips 35 Prozent weniger elektrische Leistung aufnehmen. Noch drastischer wird der Unterschied, wenn die neue Technik mit älteren Servern verglichen wird. Samsung gibt nach eigenen Messungen für sechs Module mit je 16 GByte nach DDR2 mit 60-Nanometer-Chips eine Leistungsaufnahme von 210 Watt an. Die gleiche Speichermenge von insgesamt 96 GByte soll mit den 40-Nanomter-DRAMs nur noch auf 55 Watt kommen.

Samsung zufolge werden die neuen Bausteine bereits in Massenstückzahlen ausgeliefert, Preise nannte das Unternehmen nicht. Ebenso haben noch keine anderen Hersteller von Chipsätzen außer Intel 1,35 Volt demonstriert, und auch bei Intel gilt das nur für Chipsätze der Serie 5 für die Prozessorfamilien Clarkdale und Arrandale alias Core i3/5/7 mit zwei Kernen.

Bereits in der zweiten Hälfte des Jahres 2010 will Samsung die ersten DDR3-Bausteine mit 30 Nanometern Strukturbreite herstellen, was die Leistungsaufnahme weiter drücken soll.