SSDs billiger: Erste Flash-Bausteine mit 34 Nanometern

NAND-Flash in 34-Nanometer-Technik Im Juni 2008 will IM Flash erste Muster der neuen Chips ausliefern, in der zweiten Hälfte des Jahres 2008 soll die Serienfertigung aufgenommen werden. Hergestellt werden die Bausteine auf 300-Millimeter-Wafern, einer der Chips hat eine Grundfläche von 172 Quadratmillimetern. Die Kapazität pro Die beträgt 32 GBit, aus 16 der Chips lässt sich ein 64-GByte-Speicher bauen. Die Bausteine passen auch in die üblichen TSOP-Gehäuse mit 48 Kontakten, sodass die neuen Chips in bestehende Designs eingesetzt werden können.

Das Ziel des neuen Multi-Cell-Flash in NAND-Bauweise sind Anwendungen wie Speicherkarten, Camcorder oder Solid-State-Discs (SSD). Intel hatte bereits mehrfach angekündigt, auch im Markt der SSDs aktiv werden zu wollen. Dafür hat das Unternehmen auch bereits Referenzdesigns vorgestellt.

Intel und Micron hatten ihr Joint Venture IM Flash bereits 2005 gegründet, Micron hält daran 51 Prozent. Seit Ende des Jahres 2006 baut IM Flash in Singapur eine Halbleiterfabrik, in der die neuen 34-Nanometer-Chips auch hergestellt werden. Flash-Bausteine eignen sich aufgrund ihrer einfacheren Strukturen stets für kleinere Strukturbreiten als jeweils aktuelle CPUs und andere PC-Bausteine. Den nächsten Schritt bei Prozessoren von 32 Nanometern will Intel erst 2009 vornehmen.