Smartphone-SoC: Der Snapdragon 835 wird in Samsungs 10LPE-Prozess gefertigt

Es ist offiziell: Wie erwartet hat Qualcomms neuer Smartphone-Chip den Namen Snapdragon 835, gefertigt wird er in Samsungs 10LPE-Prozess. Das Herstellungsverfahren wurde im Februar 2015 angekündigt, die Serienfertigung läuft den Südkoreanern zufolge schon seit einigen Wochen. Der Snapdragon 835 ist Samsung zufolge das erste System-on-a-Chip, das in einem 10-nm-FinFET-Verfahren in hoher Stückzahl produziert wird.

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Qualcomms Keith Kressin, Senior VP für Snapdragon Roadmaps & Technoloy, zeigt den SD835. (Foto: Marc Sauter/Golem.de)

Auf dem Snapdragon Tech Summit in New York City sprach Qualcomm zwar ausführlich über den Snapdragon 835, die Informationen unterliegen aber noch einer Sperrfrist. Der Chip unterstützt Quick Charge 4, im ersten Halbjahr 2017 sollen erste Smartphones mit dem Snapdragon 835 im Handel erhältlich sein. Schon der Snapdragon 820 wurde bei Samsung gefertigt, allerdings im 14LPP-Verfahren (14 nm FinFET Low Power Plus).

10LPE macht SoCs flotter und effizienter

Samsungs Ben Suh, Senior VP für Foundry Marketing, fasste zusammen, wo die Verbesserungen von 10LPE (10 nm FinFET Low Power Early) liegen: Die Chipfläche soll um 30 Prozent geringer ausfallen und entweder die Geschwindigkeit um 27 Prozent steigen oder die Leistungsaufnahme um 40 Prozent sinken. Fragen zur Die-Size, Package-Maßen oder Transistordichte wollten Qualcomm und Samsung wie üblich nicht beantworten.

Weitere 10-nm-Verfahren von Samsung sind das kommende 10LPP (Low Power Plus) und das günstigere 10LPU. Der taiwanische Auftragsfertiger TSMC hat ebenfalls einen 10-nm-Prozess im Angebot, er wird unter anderem von Mediatek für den Helio X30 genannten Smartphone-Chip verwendet. Intel wiederum plant gleich drei Fertigungstechniken: 10FF, 10FF+ und 10FF++.