Universal Flash Storage: 256-GByte-Speicherbausteine gehen bei Samsung in Serie

Der Speicherhersteller hat mit der Serienfertigung von UFS-Memory begonnen, dessen Bausteine eine Kapazität von 256 GByte aufweisen. Der Universal Flash Storage (UFS) bildet den Nachfolger der in Smartphones eingesetzten Embedded Multimedia Cards (eMMC) und arbeitet schneller sowie sparsamer. Samsung nennt für den neuen UFS-2.0-Speicher eine Leserate von bis zu 850 MByte, was deutlich flotter ist als eine Sata-SSD.

Technische Basis der mit 256 GByte doppelt so großen Bausteine verglichen mit den bisherigen UFS-2.0-Chips bilden gestapelte Speicherzellen. Samsung spricht einzig von V(ertical)-NAND, geht aber im Detail nicht darauf ein, welche Art Speicherzellen geschichtet wurde. Der Verweis auf den modernsten, eigenen NAND-Flash könnte aber ein Fingerzeig auf den 48-Layer-256-GBit-TLC-Speicher sein, wie er auch in der Portable SSD T3 verwendet wird.

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UFS 2.0 mit 256 GByte (Bild: Samsung)

Zusammen mit dem Controller sollen die Flash-Bausteine eine Leserate von bis zu 850 MByte pro Sekunde und eine Schreibrate von bis zu 260 MByte pro Sekunde erreichen. Ersteres ist deutlich mehr, als eine Sata-6-GBit/s-SSD schafft, da die Schnittstelle limitiert, und Letzteres entspricht einem Einsteigermodell. Die Input/Output-Operationen pro Sekunde gibt Samsung mit bis zu 45.000 lesend und 40.000 schreibend pro Sekunde an.

Verglichen mit den bisherigen UFS-2.0-Chips von Samsung verdoppeln sich die Iops also, zumindest wenn die Maximalwerte betrachtet werden. Wie viele Input/Output-Operationen pro Sekunde bei Dauerlast erreicht werden, verschweigt der Hersteller bei beiden Varianten - was legitim ist, da hohe Iops zumindest in einem Smartphone selten von Relevanz sind.

Interessant ist abschließend noch die Größe: Samsung sagt, dass ein UFS-2.0-Chip kleiner sei als eine dedizierte Micro-SD-Karte. Eine solche misst 15 x 11 mm, weniger als der Nagel eines kleinen Fingers.