High Bandwidth Memory: Samsung startet Produktion von 4-GByte-Stapelspeicher

Der Speicherhersteller Samsung hat angekündigt, die Serienproduktion von High Bandwidth Memory mit 4 GByte Kapazität pro Stapel zu starten. Bisher fertigt einzig SK Hynix diese Art von Videospeicher, die Stacks fassen allerdings nur 1 GByte an Daten. Da üblicherweise vier Stapel um eine GPU gruppiert werden, steigt durch Samsungs sogenannten HBM2 der mögliche Videospeicherausbau einer Grafikkarte von 4 auf 16 GByte.

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HBM2 mit 4 GByte per Stack (Bild: Samsung)

Jeder der neuen 4-GByte-Stacks setzt sich aus vier Schichten von 8-GBit-DRAM-Dies zusammen. Die Chips werden im modernen 20-nm-Verfahren gefertigt und durchkontaktiert (TSV). Jeder Stapel wird wie gehabt per 256 Bit Interface an den Grafikchip angebunden, die Taktfrequenz verdoppelt sich allerdings von 1 auf 2 GHz. Vier Stacks schaffen also eine Datenübertragungsrate von satten 1.024 GByte pro Sekunde - dreimal so viel wie eine Titan X, die aktuell schnellste Karte mit einer GPU und GDDR5-Videospeicher.

Die zweite Ausbaustufe des High Bandwidth Memory benötigt deutlich mehr Platz auf dem Interposer, zudem sind die Stack ein bisschen höher. AMD beispielsweise kann die Fury X daher nicht mal eben so mit Samsungs HBM2 ausrüsten. Neben den Varianten mit 1 GHz und 2 GHz plant ein anderer Hersteller, SK Hynix, auch HBM-Stapel mit 1,6 GHz. Die gibt es mit 2, 4 oder 8 GByte Kapazität - letztere stapeln acht Schichten (8Hi).

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HBM2 von SK Hynix (Bild: SK Hynix)

Später im Jahr möchte Samsung ebenfalls 8-GByte-Stacks (8Hi) für 32-GByte-Grafikkarten produzieren, was für Profibeschleuniger wie AMDs FireGL- und Nvidias Quadro- sowie Tesla-Modelle wichtig ist. So oder so werden die neuen Karten mit HBM2 entweder auf der Polaris- oder Pascal-Architektur basieren, so nennen AMD und Nvidia die Technik der Modelle für 2016 und später.