Samsung: DDR3-Chips mit 8 GBit für Module mit 32 GByte
Neue DDR3-Chips in 50-Nanometer-Technik und mit verringertem Stromverbrauch
Samsung hat einen DDR3-Speicherchip mit einer Kapazität von 4 GBit in 50-Nanometer-Technik entwickelt. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich damit DDR3-Speichermodule mit bis zu 32 GByte Speicherkapazität herstellen.
DDR3-Chip mit 4 GBit von Samsung
Samsungs 4-GBit-DDR3-Chip arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt und soll 20 Prozent schneller sein als ein DDR2-Chip mit 1,5 Volt. Den maximalen Datendurchsatz des Chips gibt Samsung mit 1,6 GBit/s an.
In einem 16-GByte-Modul sollen die neuen Speicherchips rund 40 Prozent weniger Strom verbrauchen als DDR3-Module mit 2-GBit-Chips, schließlich müssen bei gleicher Kapazität nur halb so viele Chips mit Strom versorgt werden - 32 statt 64.
Laut Samsung können die neuen Chips in RDIMMs mit 16 GByte für Server, ungepufferten 8-GByte-DIMMs für Workstations und Desktops-PCs sowie in SODIMMs für Laptops eingesetzt werden, die ebenfalls 8 GByte Kapazität bieten. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich Speicherriegel mit bis zu 32 GByte Kapazität herstellen.
Wann erste Module mit den neuen Chips auf den Markt kommen werden, verriet Samsung nicht.
Oder nutzen Sie das Golem-pur-Angebot
und lesen Golem.de
- ohne Werbung
- mit ausgeschaltetem Javascript
- mit RSS-Volltext-Feed
Man muss einfach nur die richtigen Programme bei solchen Spielereien verwenden. Selbst...
3 Jahre Laufzeit für ein neues Gerät und 6 Jahre Laufzeit für den Kredit dafür. Wie man...
In dieser Hinsicht haben sich auch schon einige sehr berühmte Leute geirrt: 640K ought...
Dann sag doch mal was besseres, mal sehen, wie das bei dir dann aussieht. Einfach nur...